\n К. Андре Мхоян (родился в 1974 году) является профессором и занимает кафедру Рэя Д. Джонсона по химической инженерии и материаловедению на факультете Университета Миннесоты. Он известен за значительный вклад как в фундаментальные научные исследования, так и применение методов сканирования электронной микроскопии (STEM). В 2024 году был избран членом Американского общества микроэкологии.Согласно базе данных Web of Science на октябрь 25-го года, он опубликовал более 180 работ с общим числом цитирований свыше 9800 и индекс Хирша (h-index) равным 44.

Андре Мхоян родился в Ереване, Армения, в 1974 году. В школу он поступил в престижную физико-математическую гимназию имени Арашеса Шахиняна (Artashes Shahinyan Physics-Mathematics School). Окончив её с отличием, Мхоян получает бакалаврскую степень по физике в Ереванском государственном университете. В 1996 году он переезжает в США и начинает работать над исследованиями электронной микроскопии.После работы на Bell Labs (в поддержку проекта SCALPEL), Мхоян поступил в Корнелльский Университет для получения степени магистра инженерных наук по прикладным физике. В 2003 году он получает степень M.S., а через год, под руководством профессора Джона Силькокса (John Silcox), защищает докторскую диссертацию на тему "Исследование методом сканирующей электронной микроскопии III-V нитридов".В постдокументальной работе он продолжал сотрудничать с профессором Силькоксом и Филипом Батсон (Philip E. Batson) в IBM, где занимался разработкой аберрационно-корректированных микроскопов STEM. В 2008 году Мхоян становится ассистентом-профессором на факультете химической инженерии и материаловедения Университета Миннесоты.

Мхояну принадлежат фундаментальные исследования в области физики электронной микроскопии, а также разработка новых методов применения высокоразрешающей STEM для изучений дефектных структур и материалов. Он известен своими работами по выявлению двух ранее неизвестных типов линейных дефектов в кристаллах и их взаимодействия с примесями, а также за разработку методик высокоразрешающего электронного микроскопирования для чувствительных материалов. Его исследования включают открытие новых механизмов податомной канализации пучка даже вне периодических кристаллов и обнаружение нового типа суб-атомарных эффектов.\n

Андре Мкхоян опубликовал множество статей в научных журналах о значительных достижениях и исследованиях, включая материалы с дефектами, нанопористые структуры, сложные оксиды и двумерные/однослойные вещества. Вот некоторые из них:- **Dopant Segregation Inside and Outside Dislocation Cores in Perovskite BaSnO3 and Reconstruction of the Local Atomic and Electronic Structures;** H. Yun, A. Prakash, T. Birol, B. Jalan, K.A.Mkhoyan; Nano Lett., 21(10), 4357 (2021)- **Metallic line defect in wide-bandgap transparent perovskite BaSnO3;** H. Yun, M. Topsakal, A. Prakash, B. Jalan, J.S.Jeong, T.Birol, K.A.Mkhoyan; Sci.Adv., 7(eabd4449), (2021)- **Uncovering atomic migrations behind magnetic tunnel junction breakdown** H.Yun, D.Lyu, Y.Lv, B.R.Zink, P.Khanal, B.Zhou, W.G.Wang, J.P.Wang, K.A.Mkhoyan; ACS Nano 18(25), (2024)- **One-dimensional intergrowths in two-dimensional zeolite nanosheets and their effect on ultra-selective transport** P. Kumar et al.; Nature Mater., 19, 443 (2020)