\nДжоанна (Йока) Мария Ванденберг родилась в 1938 году, она — голландский химик и кристаллограф. Переехала в США в 1968-м. На Bell Telephone Laboratories внесла значительный вклад в развитие Интернета.Она изобрела, разработала и применила метод рентгеновского сканирования для контроля качества при производстве лазеров на основе индия-галлия-фосфида с многослойными гетероструктурами. Эти устройства лежат в основании современных оптических сетей Интернета.

Джоанна Ванденберг родилась 24 января 1938 года, выросла в Хемстеде недалеко от Амстердама. Она была младшей из пяти детей и первой, кто поступила в колледж после окончания гимназии (1956). В 1959 году получает бакалавра по физическим наукам и математике в Лейденском университете, а затем магистра химических науках с акцентом на неорганическую химию твердого тела. Защитила докторскую диссертацию под руководством А. Э. ван Аркеля (1964).

С 1964 по 1968 годы работала в лаборатории Royal Dutch Shell, где занималась исследованием каталитических свойств переходных металлов и халькогенидов.В Bell Laboratories сначала была уволена из-за беременности (в первый раз), но вернулась после успешного судебного иска в 1972 году. Вместе с Берндом Маттиасом она исследовала формирование кластеров переходных металлов и открыла сверхпроводящие редкоземельные бориды.В начале 1980-х годов переключилась на изучение контактной метализации для лазеров, используемых в Интернете. Разработала метод рентгеноструктурного анализа при температурных условиях и оптимизированных золотых покрытий.В 1986 году внимание Ванденберга переключилось на контроль качества роста кристаллов InGaAsP многослойных гетероструктур (MQW), используемых в лазерах и оптических модуляторах, работающих в диапазоне длин волн 1.3-1.55 мкм. Улучшение конструкции этих устройств с точки зрения производительности и технологичности было ключевой задачей ведущих поставщиков компонентов на протяжении десятилетий.Эти устройства изготавливаются методом эпитаксии в парах органических металлов, сложным процессом, включающим множество источников. Производство ранних образцов имело крайне низкие выходы (менее 1%), и требовалось значительное улучшение для создания высокопроизводительных компонентов, необходимых для современных интернет-сетей.Для достижения высокой точности контроля в производстве Ванденберг разработала однокомнатный рентгенодифракционный анализатор (позже перенесён на лабораторные столы), который обеспечивал мгновенную обратную связь для управления роста кристаллов. Она создавала алгоритмы, которые позволяли по данным дифракции определять толщину слоёв и напряжения в структуре.Её метод рентгеновской дифрактометрии используется при проверке каждого лазерного кристалла на множественных этапах производства. Сегодня все интернет-лазеры изготавливаются с использованием её технологии, и их срок службы превышает 25 лет.

Ванденберг получила премию Optoelectronics Award в 1995 и 1997 годах за вклад в разработку методов контроля характеристик при производстве полупроводниковых лазеров компании Lucent.Она является членом Американского физического общества (APS) и соответствующим членом Королевской академии наук Нидерландов.

Vandenberg, JM; Matthias, BT. 'Clustering hypothesis of some high-temperature superconductors'. Science. 1977.Vandenberg, JM; Matthias, BT. 'Crystallography of new ternary borides'. Proceedings of the National Academy of Sciences USA. 1977.74.4.1336. PMC 430747. PMID 16578752.Вандерберг, Дж.М.; Темкин, Х.; Гамм, Р.А.; ДиДжиузеппе, М.А. (1982). 'Структурное исследование сплавных золотых контактов на слоях InGaAsP/InP'. Журнал прикладной физики. 53(11):7385–7398.Вандерберг, Дж.М.; Темкин, Х. (1984). 'Исследования взаимодействия золота и барьерных металлов с слоями InGaAsP/InP методом in situ рентгеновской дифракции'. Журнал прикладной физики. 55(10):3676–3681.Вандерберг, Дж.М.; Гамм, Р.А., Паниш, М.В.; Темкин, Х. (1987). 'Высокоразрешающие рентгеновские исследования InGaAs(P)/InP суперлактитовых структур, выращенных методом газ-источниковой молекулярной эпитаксии'. Журнал прикладной физики. 62(4):1278–1283.Вандерберг, Дж.М.; Гершони, Д., Гамм, Р.А., Паниш, М.В; Темкин, Х. (1989). 'Структурная совершенность InGaAs/InP напряженных слоистых структур методом газ-источниковой эпитаксии: Высокоразрешающее рентгеновское исследование'. Журнал прикладной физики. 66(8):3635–3638.